GS66516T-E02-MR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Sistemi GaN

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

GaN

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

GaNPX-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

60 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

7 V

Qg - Carica cancello:

12 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.54 mm

Lunghezza:

9 mm

Prodotto:

MOSFET

Serie:

GS66516x

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

7.6 mm

Marca:

Sistemi GaN

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6