IRF5803D2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET FETKY e Diodo Schottky

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

550 ns

Quantità confezione di fabbrica:

95

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

88 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

43 ns

Parte # Alias:

SP001554058

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

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