IRF5802TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

900 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

4.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

0.55 S

Tempo di caduta:

9.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Parte # Alias:

SP001561828

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

IRF5802TRP, IRF5802T, IRF5802, IRF580, IRF58, IRF5, IRF