SCT2120AFC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

29 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

120 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 22 V

Qg - Carica cancello:

61 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

165 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

SCT2x

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.7 S

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

31 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Parte # Alias:

SCT2120AF

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

SCT21, SCT2, SCT