FDN86501LZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SSOT-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

198 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

3.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.12 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

FDN86501LZ

Tipo di transistor:

1 N-channel

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Tempo di caduta:

1.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

FDN8, FDN