C3M0075120D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

75 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 8 V, 19 V

Qg - Carica cancello:

54 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

113.6 W

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Massa

Marca:

Wolfspeed / Cree

Tempo di caduta:

13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

32 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

56 ns

Tags

C3M007, C3M00, C3M0, C3M