NTHL080N120SC1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Id - Corrente di scarico continua:

44 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 15 V, 25 V

Qg - Carica cancello:

56 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

348 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

13 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

450

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 ns

Tags

NTHL0, NTHL, NTH