C2M0080120D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

31.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V, - 5 V

Qg - Carica cancello:

94 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

208 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.1 mm

Lunghezza:

16.13 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza al carburo di silicio

Larghezza:

5.21 mm

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

3.9 S

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

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