PGA26E19BA

PGA26E19BA
Mfr. #:
PGA26E19BA
Produttore:
Panasonic
Descrizione:
MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
PGA26E19BA Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
PGA26E19BA maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Panasonic
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
RoHS
Particolari
Numero di canali
1 Channel
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
4 V
Qg - Carica del cancello
120 nC
Tecnologia
si
Modalità canale
Aumento
Marca
Panasonic
Configurazione
1 N-Channel
Kit di sviluppo
-
Tempo di caduta
-
Transconduttanza diretta - Min
-
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Ora di alzarsi
-
Serie
GaN-FET
Tipo di transistor
1 N-Channel
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
-
Tempo di ritardo di accensione tipico
-
Tags
PGA26E1, PGA26, PGA2, PGA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***asonic SCT
GaN Power Devices, 600V, DFN 8x8, RoHS
PGA26E X-GaN Power Transistors
Panasonic PGA26E07BA and PGA26E19BA X-GaN Power Transistors are 600V Gallium Nitride power devices based on Gate Injection Transistor (GiT) technology. PGA26E X-GaN power devices deliver Normally-Off operation with extremely high-speed switching characteristics and zero recovery loss.
X-GaN Power Solutions
Panasonic 600V Gallium Nitride (X-GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap semiconductor material with high heat capacity and thermal conductivity. In its pure form, it resists cracking and can be deposited in a thin film on Sapphire (AL2O3) or Silicon Carbide (SiC), despite the mismatch in their lattice constants. X-GaN can be doped with Silicon (Si) or with Oxygen to n-type and with Magnesium (Mg) to p-type; however, the Si and Mg atoms change the way the X-GaN crystals grow, introducing tensile stresses and making them brittle.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
PGA26E19BA
DISTI # 667-PGA26E19BA
Panasonic Electronic ComponentsMOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
RoHS: Compliant
0
  • 1:$18.2900
  • 10:$17.0700
  • 25:$16.2100
PGA26E19BA-SWEVB008
DISTI # 667-PGA26E19BASWEV8
Panasonic Electronic ComponentsPower Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN 1/2 Bridge EVB
RoHS: Compliant
19
  • 1:$400.0000
PGA26E19BA-SWEVB006
DISTI # 667-PGA26E19BASWEVB6
Panasonic Electronic ComponentsPower Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB
RoHS: Compliant
3
  • 1:$300.0000
PGA26E19BA-DB001
DISTI # 667-PGA26E19BADB001
Panasonic Electronic ComponentsPower Management IC Development Tools SMD-ThruHole ConvKit 600VDC 190mohm X-GaN
RoHS: Compliant
0
  • 1:$45.0000
Immagine Parte # Descrizione
PGA26E19BA

Mfr.#: PGA26E19BA

OMO.#: OMO-PGA26E19BA

MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
PGA26E07BA

Mfr.#: PGA26E07BA

OMO.#: OMO-PGA26E07BA

MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
PGA26E07-DB001

Mfr.#: PGA26E07-DB001

OMO.#: OMO-PGA26E07-DB001-1190

Nuovo e originale
PGA26E07-SWEVB008

Mfr.#: PGA26E07-SWEVB008

OMO.#: OMO-PGA26E07-SWEVB008-1190

Nuovo e originale
PGA26E07BA

Mfr.#: PGA26E07BA

OMO.#: OMO-PGA26E07BA-1190

MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
PGA26E19-DB001

Mfr.#: PGA26E19-DB001

OMO.#: OMO-PGA26E19-DB001-1190

Nuovo e originale
PGA26E19-SWEVB008

Mfr.#: PGA26E19-SWEVB008

OMO.#: OMO-PGA26E19-SWEVB008-1190

Nuovo e originale
PGA26E19BA

Mfr.#: PGA26E19BA

OMO.#: OMO-PGA26E19BA-1190

MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
24,32 USD
24,32 USD
10
23,10 USD
230,99 USD
100
21,88 USD
2 188,35 USD
500
20,67 USD
10 333,90 USD
1000
19,45 USD
19 452,00 USD
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