IRF7779L2TR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-L8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

67 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

97 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.74 mm

Lunghezza:

9.15 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

7.1 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

83 S

Tempo di caduta:

12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001575282

Tags

IRF777, IRF77, IRF7, IRF