IRFHM792TR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

195 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

3.5 S

Tempo di caduta:

2.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

5.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns

Parte # Alias:

SP001575860

Unità di peso:

0.001164 oz

Tags

IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF