IXTT1N300P3HV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268HV-2

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

3 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

50 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

195 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

60 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

78 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT