IXTT1N450HV

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268HV-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

4.5 kV

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

46 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

IXTT1N450

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

0.4 S

Tempo di caduta:

120 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

43 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

73 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT