IXTT1N250HV-TRL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Alta tensione

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268S-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

39 ns

Id - Corrente di scarico continua:

1.5 A

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 Ohms

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

132 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

69 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

2500 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT