SIHB25N50E-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

550 V

Id - Corrente di scarico continua:

26 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

145 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

57 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

29 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

36 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

SIHB2, SIHB, SIH