CSD86311W1723

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DSBGA-12

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

42 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

3.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.62 mm

Lunghezza:

2.32 mm

Serie:

CSD86311W1723

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

1.74 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

6.4 S

Tempo di caduta:

2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.4 ns

Unità di peso:

0.000145 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD