CSD87353Q5D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LSON-CLIP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V, 750 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

16 nC, 20 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

12 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CSD87353Q5D

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

135 S, 160 S

Tempo di caduta:

4 ns, 4.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16 ns, 10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns, 23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 8.5 ns

Unità di peso:

0.011161 oz

Tags

CSD87353, CSD8735, CSD873, CSD87, CSD8, CSD