SIHB22N60AE-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

156 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

48 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

179 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

21 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

33 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

SIHB22N60, SIHB22, SIHB2, SIHB, SIH