SIHF530-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

14 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

160 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

26 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

88 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Altezza:

15.49 mm

Lunghezza:

10.41 mm

Serie:

SIH

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5.1 S

Tempo di caduta:

24 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

23 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Tags

SIHF53, SIHF5, SIHF, SIH