SIHF520STRR-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

270 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

2.7 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.8 ns

Tags

SIHF52, SIHF5, SIHF, SIH