DMN2013UFX-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

W-DFN5020-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

57.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.14 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN2013

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

13.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

42.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.6 ns

Tags

DMN201, DMN20, DMN2, DMN