DMN2016UTS-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSSOP-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.58 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

880 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN2016

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

16.27 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11.66 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

59.38 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10.39 ns

Unità di peso:

0.005573 oz

Tags

DMN2016UT, DMN2016U, DMN2016, DMN201, DMN20, DMN2, DMN