SCT30N120

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

HiP-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V, - 10 V

Qg - Carica cancello:

105 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiP247â?¢

Confezione:

Tubo

Serie:

SCT30N120

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

SCT30N, SCT30, SCT3, SCT