SCT3030KLHRC11

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247N-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Id - Corrente di scarico continua:

72 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 4 V, 22 V

Qg - Carica cancello:

131 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

339 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

SCT3x

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

10.8 S

Tempo di caduta:

29 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

42 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

61 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Tags

SCT3030K, SCT303, SCT30, SCT3, SCT