SCT30N120H

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

HiP-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Id - Corrente di scarico continua:

45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V to 25 V

Qg - Carica cancello:

105 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

SCT30N120H

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

28 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

19 ns

Tags

SCT30N, SCT30, SCT3, SCT