ZXMD65P03N8TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

26.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.4 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

49.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMD65P03N, ZXMD65P03, ZXMD65P, ZXMD65, ZXMD6, ZXMD, ZXM