DMN10H220LE-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

220 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.8 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

3.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

7.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.8 ns

Unità di peso:

0.009171 oz

Tags

DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN