FDT86113LZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

4.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.2 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.8 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Serie:

FDT86113LZ

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

8 S

Tempo di caduta:

1.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

10 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.8 ns

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FDT861, FDT8, FDT