C2M0045170P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-4

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1700 V

Id - Corrente di scarico continua:

72 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

59 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, - 5 V

Qg - Carica cancello:

188 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

520 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

21.7 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

600

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

46 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

35 ns

Tags

C2M004, C2M00, C2M0, C2M