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C2M0025120D

C2M0025120D
Mfr. #:
C2M0025120D
Produttore:
N/A
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
C2M0025120D Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
C2M0025120D maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Cree
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
Z-FET
Confezione
Tubo
Unità di peso
1.340411 oz
Stile di montaggio
Foro passante
Pacchetto-Custodia
TO-247-3
Tecnologia
SiC
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Foro passante
Numero di canali
1 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
TO-247-3
Configurazione
Separare
Tipo FET
MOSFET N-Channel, ossido di metallo
Potenza-Max
463W
Tipo a transistor
1 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
1200V (1.2kV)
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
2788pF @ 1000V
Funzione FET
Carburo di silicio (SiC)
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
90A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
34 mOhm @ 50A, 20V
Vgs-th-Max-Id
2.4V @ 10mA
Gate-Carica-Qg-Vgs
161nC @ 20V
Pd-Power-Dissipazione
463 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
28.4 ns
Ora di alzarsi
31.6 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
- 10 V + 25 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
90 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1200 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
2.4 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
25 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
28.8 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
14.4 ns
Qg-Gate-Carica
406 nC
Transconduttanza diretta-Min
23.6 S
Modalità canale
Aumento
Tags
C2M00, C2M0, C2M
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Components
SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0025120D
***ark
MOSFET TRANSISTOR, N CHANNEL, 90 A, 1.2 KV, 0.025 OHM, 20 V, 2.4 V ROHS COMPLIANT: YES
***ical
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
***ment14 APAC
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 90A, TO-247;
***i-Key
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
***hardson RFPD
SILICON CARBIDE MOSFETS
***nell
MOSFET, CANALE N, 1.2KV, 90A, TO-247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua di Drain Id:90A; Tensione Drain Source Vds:1.2kV; Resistenza di Attivazione Rds(on):0.025ohm; Tensione Vgs di Misura Rds(on):20V; Tensione di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione di Potenza Pd:463W; Modello Case Transistor:TO-247; No. di Pin:3Pin; Temperatura di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard di Qualifica Automotive:-; Livello di Sensibilità all'Umidità (MSL):-
Wolfspeed C2M™ SiC Power MOSFETs
Wolfspeed C2M family of Silicon Carbide Power MOSFETs provide engineers a wide range of 1200V and 1700V SiC MOSFETs. Wolfspeed SiC MOSFETs enable engineers to replace silicon transistors (IGBTs) and develop high-voltage circuits with extremely fast switching speeds and ultra-low switching losses. Used in conjunction with Wolfspeed SiC Schottky diodes in an all-SiC system, the C2M SiC MOSFET allows design engineers to achieve levels of energy efficiency, size, and weight reduction that are not possible with available silicon power devices of comparable ratings. The new C2M family of MOSFETs is based on a rugged and reliable Gen2 SiC technology platform, providing the lowest switching losses in their class. The C2M significantly higher switching frequencies, all at lower cost. This revolutionary series also reduces the size of magnetics and filter components and significantly reduces cooling requirements.Learn more
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
C2M0025120D
DISTI # 29423888		Cree, Inc.Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247
RoHS: Compliant		4162
  • 2:$92.7000
C2M0025120D
DISTI # C2M0025120D-ND		WolfspeedMOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		558In Stock
  • 1:$73.2900
C2M0025120D
DISTI # 54X4873		WolfspeedMOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, 20 V, 2.4 V RoHS Compliant: Yes15
  • 1:$69.8000
C2M0025120D
DISTI # 941-C2M0025120D		Cree, Inc.MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
RoHS: Compliant		2
  • 1:$69.8000
  • 100:$67.1200
C2M0025120D
DISTI # 9158818		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 1200V 90A TO247, EA103
  • 1:£55.4400
  • 5:£53.2000
  • 10:£51.8800
C2M0025120D
DISTI # 9158818P		Cree, Inc.N-CHAN SIC MOSFET 1200V 90A TO247, TU135
  • 5:£53.2000
  • 10:£51.8800
C2M0025120DChip 1 Exchange 139
    C2M0025120D
    DISTI # 2422213    		WolfspeedMOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 90A, TO-247
    RoHS: Compliant    		300
    • 50:£53.9600
    • 10:£53.9700
    • 5:£54.8000
    • 1:£55.9200
    C2M0025120D
    DISTI # 2422213    		WolfspeedMOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 90A, TO-247
    RoHS: Compliant    		300
    • 1:$115.0600
    Immagine Parte # Descrizione
    C2M0040120D

    Mfr.#: C2M0040120D

    OMO.#: OMO-C2M0040120D

    		 MOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
    C2M0025120D

    Mfr.#: C2M0025120D

    OMO.#: OMO-C2M0025120D

    		 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
    C2M0025120

    Mfr.#: C2M0025120

    OMO.#: OMO-C2M0025120-1190

    		 Nuovo e originale
    C2M0025120D

    Mfr.#: C2M0025120D

    OMO.#: OMO-C2M0025120D-WOLFSPEED

    		 MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
    C2M0040120

    Mfr.#: C2M0040120

    OMO.#: OMO-C2M0040120-1190

    		 Nuovo e originale
    C2M0040120D

    Mfr.#: C2M0040120D

    OMO.#: OMO-C2M0040120D-WOLFSPEED

    		 MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
    C2M0040120D/SL36N120A

    Mfr.#: C2M0040120D/SL36N120A

    OMO.#: OMO-C2M0040120D-SL36N120A-1190

    		 Nuovo e originale
    C2M0080120D

    Mfr.#: C2M0080120D

    OMO.#: OMO-C2M0080120D-WOLFSPEED

    		 MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
    C2M0080120DCREE

    Mfr.#: C2M0080120DCREE

    OMO.#: OMO-C2M0080120DCREE-1190

    		 Nuovo e originale
    C2M0080170P

    Mfr.#: C2M0080170P

    OMO.#: OMO-C2M0080170P-WOLFSPEED

    		 ZFET SIC DMOSFET, 1700V VDS, RDS
    Disponibilità
    Azione:
    Available
    Su ordine:
    2500
    Inserisci la quantità:
    Il prezzo attuale di C2M0025120D è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
    Prezzo di riferimento (USD)
    Quantità
    Prezzo unitario
    est. Prezzo
    1
    100,68 USD
    100,68 USD
    10
    95,65 USD
    956,46 USD
    100
    90,61 USD
    9 061,20 USD
    500
    85,58 USD
    42 789,00 USD
    1000
    80,54 USD
    80 544,00 USD
    A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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