C2M0025120D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Cree, Inc.

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

SiC

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1.2 kV

Id - Corrente di scarico continua:

90 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V, - 10 V

Qg - Carica cancello:

406 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

463 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

21.1 mm

Lunghezza:

5.21 mm

Prodotto:

MOSFET di potenza

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza al carburo di silicio

Larghezza:

16.13 mm

Marca:

Wolfspeed / Cree

Transconduttanza diretta - Min:

23.6 S

Tempo di caduta:

28.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

31.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14.4 ns

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

C2M00, C2M0, C2M