BC847BPDW1T2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V, - 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.6 V, - 0.65 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC847BP

Guadagno di corrente CC hFE Max:

475

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

0.1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

380 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

BC847BPDW1, BC847BPDW, BC847BPD, BC847BP, BC847B, BC847, BC84, BC8