SBC856BDW1T3G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

BC856B

Guadagno di corrente CC hFE Max:

475 at - 2 mA, - 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

220 at - 2 mA, - 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

380 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

SBC856B, SBC856, SBC85, SBC8, SBC