NSVJ5908DSG5T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MCPH-5

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Dual

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

15 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 15 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

32 mA

Id - Corrente di scarico continua:

50 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

300 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

24 mS

Tensione di interruzione gate-source:

- 0.7 V

Tipologia di prodotto:

JFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSVJ, NSV