NSVJ6904DSB6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

JFET

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CPH6

Polarità del transistor:

Canale N

Configurazione:

Dual

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 25 V

Corrente Drain-Source a Vgs=0:

40 mA

Id - Corrente di scarico continua:

4.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

78 mOhms

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

40 mS

Tensione di interruzione gate-source:

- 1.2 V

Tensione massima della porta di drenaggio:

25 V

Tipologia di prodotto:

JFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

NSVJ, NSV