CGHV96050F1

CGHV96050F1
Mfr. #:
CGHV96050F1
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV96050F1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV96050F1 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
21.8 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Id - Corrente di scarico continua:
1.7 A
Potenza di uscita:
178 W
Tensione massima della porta di drenaggio:
65 V
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
67 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
DFN-6
Confezione:
Bobina
Applicazione:
Radar militari, jammer, strumentazione di prova, amplificatori a banda larga o a banda stretta, mobili terrestri e milit
Configurazione:
Singolo Triplo Scarico
Frequenza operativa:
1.2 GHz to 2.7 GHz
Marca:
Qorvo
Kit di sviluppo:
QPD1013EVB01
Sensibile all'umidità:
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Tags
CGHV960, CGHV9, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV96050F1
DISTI # CGHV96050F1-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 440210
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
12In Stock
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # CGHV96050F1-TB-ND
WolfspeedBOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
RoHS: Compliant
Min Qty: 2
Container: Bulk
Temporarily Out of Stock
  • 2:$550.0000
CGHV96050F1
DISTI # 941-CGHV96050F1
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
RoHS: Compliant
50
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # 941-CGHV96050F1-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
1
  • 1:$550.0000
Immagine Parte # Descrizione
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB-WOLFSPEED

BOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
CGHV96050F2-TB

Mfr.#: CGHV96050F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96050F2
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96100F2
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM
CGHV96050F2

Mfr.#: CGHV96050F2

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT
Disponibilità
Azione:
50
Su ordine:
2033
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