T1G2028536-FS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Qorvo

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

18 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

36 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

145 V

Id - Corrente di scarico continua:

24 A

Potenza di uscita:

260 W

Tensione massima della porta di drenaggio:

48 V

Temperatura massima di esercizio:

+ 250 C

Pd - Dissipazione di potenza:

288 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

2 GHz

Prodotto:

Transistor di potenza RF

Serie:

T1G

Tipo:

GaN SiC HEMT

Marca:

Qorvo

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

1110346

Tags

T1G2028536, T1G2, T1G