T1G2028536-FS

T1G2028536-FS
Mfr. #:
T1G2028536-FS
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
T1G2028536-FS Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
T1G2028536-FS maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
TriQuint (Qorvo)
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
T1G
Confezione
Vassoio
Alias ​​parziali
1110346
Stile di montaggio
SMD/SMT
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
18 dB
Potenza di uscita
260 W
Pd-Power-Dissipazione
288 W
Massima temperatura di esercizio
+ 250 C
Frequenza operativa
2 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
24 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
36 V
Polarità del transistor
Canale N
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
145 V
Tensione massima-Drain-Gate
48 V
Tags
T1G2028536, T1G2, T1G
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GaN Solutions
Qorvo Qorvo is your smart RF partner for building solutions using gallium nitride (GaN) technology. Qorvo's is the only supplier to achieve MRL 9 using USAF MRL tool and is a “trusted” supplier with industry-leading GaN reliability. Qorvo is a world-class certified manufacturer - ISO9001, ISO14001, ISO/TS16949.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
T1G2028536-FS
DISTI # 772-T1G2028536-FS
QorvoRF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
RoHS: Compliant
25
  • 1:$508.0000
Immagine Parte # Descrizione
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain [email protected] GaN
T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

Mfr.#: T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-FS-1-2-1-4GHZ-EVB5-1152

RF Development Tools DC-2GHz P3dB 260W Eval Board
T1G2028535-FL

Mfr.#: T1G2028535-FL

OMO.#: OMO-T1G2028535-FL-1190

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68 580,00 USD
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