ZXMD65P02N8TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

80 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.25 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

29.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.6 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMD65P02N, ZXMD65P02, ZXMD65P, ZXMD65, ZXMD6, ZXMD, ZXM