SI7898DP-T1-E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

85 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

17 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.04 mm

Lunghezza:

6.15 mm

Serie:

SI7

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

15 S

Tempo di caduta:

17 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

SI7898DP-T1

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI7898DP-T, SI7898D, SI7898, SI789, SI78, SI7