TGF2080

TGF2080
Mfr. #:
TGF2080
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2080 Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2080 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
pHEMT
Tecnologia:
GaAs
Guadagno:
11.5 dB
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
12 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
- 7 V
Id - Corrente di scarico continua:
259 mA
Tensione massima della porta di drenaggio:
- 12 V
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
4.2 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Confezione:
Confezione di gel
Configurazione:
Dual
Frequenza operativa:
12 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Prodotto:
RF JFET
Serie:
TGF
Tipo:
GaAs pHEMT
Marca:
Qorvo
Transconduttanza diretta - Min:
309 mS
Numero di canali:
2 Channel
P1dB - Punto di compressione:
29.5 dBm
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
100
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1098414
Tags
TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
Transistor, DC- 20 GHz, 29.5 dBm, 11.5 dB, 8V, DIE
TGF2080 Discrete GaAs pHEMT
Qorvo TGF2080 is a discrete 800-Micron pHEMT which operates from DC to 20 GHz. TGF2080 is designed using Qorvo’s proven standard 0.25um power pHEMT production process. This process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. TGF2080 typically provides 29.5 dBm of output power at P1dB with gain of 11.5 dB and 56% power-added efficiency at 1 dB compression. This performance makes the TGF2080 appropriate for high efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides a level of environmental robustness and scratch protection.Learn More
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Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2080
DISTI # 772-TGF2080
QorvoRF JFET Transistors DC-20GHz NF 1.1dB Gain 11.5dB PAE 56%
RoHS: Compliant
0
  • 100:$9.7400
  • 300:$9.1000
  • 500:$8.5100
  • 1000:$7.9500
Immagine Parte # Descrizione
TGF2954

Mfr.#: TGF2954

OMO.#: OMO-TGF2954

RF JFET Transistors DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm
TGF2956

Mfr.#: TGF2956

OMO.#: OMO-TGF2956

RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
TGF2819-FS

Mfr.#: TGF2819-FS

OMO.#: OMO-TGF2819-FS

RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
TGF20SF-07870787-039

Mfr.#: TGF20SF-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF20SF-07870787-039

Thermal Interface Products 2W/m-K 200*200*1 TGF20SF White Gray
TGF2023-2-01

Mfr.#: TGF2023-2-01

OMO.#: OMO-TGF2023-2-01-318

RF JFET Transistors DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
TGF1350-SCC

Mfr.#: TGF1350-SCC

OMO.#: OMO-TGF1350-SCC-1152

RF JFET Transistors DC-18.0GHz 0.3mm MESFET
TGF2022-2

Mfr.#: TGF2022-2

OMO.#: OMO-TGF2022-2-1190

Nuovo e originale
TGF2961-SD T/R

Mfr.#: TGF2961-SD T/R

OMO.#: OMO-TGF2961-SD-T-R-1190

Nuovo e originale
TGF3020-SM EVAL BOARD

Mfr.#: TGF3020-SM EVAL BOARD

OMO.#: OMO-TGF3020-SM-EVAL-BOARD-1152

RF Development Tools 4-6GHz 5Watt GaN Eval Board
TGF60-07870787-039

Mfr.#: TGF60-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF60-07870787-039-LEADER-TECH

THERMAL GAP FILLER, 200X200X1MM, GREY
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Available
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
100
9,74 USD
974,00 USD
300
9,10 USD
2 730,00 USD
500
8,51 USD
4 255,00 USD
1000
7,95 USD
7 950,00 USD
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