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TGF2956

TGF2956
Mfr. #:
TGF2956
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
TGF2956 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
TGF2956 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
20.4 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
32 V
Id - Corrente di scarico continua:
480 mA
Potenza di uscita:
38.4 dBm
Tensione massima della porta di drenaggio:
100 V
Temperatura di esercizio minima:
- 65 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:
10.5 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
Morire
Confezione:
Confezione di gel
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
15 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 65 C to + 150 C
Marca:
Qorvo
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Parte # Alias:
1111797
Tags
TGF295, TGF29, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC to 12 GHz, 55 W, 19.3 dB, 32 V, GaN, DIE
TGF GaN on SiC Transistors
Qorvo TGF GaN on SiC Transistors for the Satellite, P to P, and Military communications along with Marine radar and Test and instrumentation. These are small footprint (dies) that handle high power (7W to 70W) and high frequency, up to 14GHz.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
TGF2956
DISTI # 772-TGF2956		QorvoRF JFET Transistors DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm
RoHS: Compliant		100
  • 50:$71.5800
  • 100:$63.2500
1112248
DISTI # TGF2956		QorvoRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant		0
  • 1:$8.3000
Immagine Parte # Descrizione
TGF280L

Mfr.#: TGF280L

OMO.#: OMO-TGF280L

 Thermal Interface Products Thermal Gap Fill Pad
TGF50-07870787-039

Mfr.#: TGF50-07870787-039

OMO.#: OMO-TGF50-07870787-039-LEADER-TECH

 Thermal Gap Filler/Grey 6.0W/m-K
TGF2819-FL

Mfr.#: TGF2819-FL

OMO.#: OMO-TGF2819-FL-318

 RF JFET Transistors DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz
TGF2021-01

Mfr.#: TGF2021-01

OMO.#: OMO-TGF2021-01-318

 RF JFET Transistors DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um)
TGF2023-2-02

Mfr.#: TGF2023-2-02

OMO.#: OMO-TGF2023-2-02-318

 RF JFET Transistors DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
TGF120-EPU-SOT89

Mfr.#: TGF120-EPU-SOT89

OMO.#: OMO-TGF120-EPU-SOT89-1190

 Nuovo e originale
TGF148-1200B

Mfr.#: TGF148-1200B

OMO.#: OMO-TGF148-1200B-1190

 Nuovo e originale
TGF2021-04SD

Mfr.#: TGF2021-04SD

OMO.#: OMO-TGF2021-04SD-1190

 Nuovo e originale
TGF2023

Mfr.#: TGF2023

OMO.#: OMO-TGF2023-1190

 Nuovo e originale
TGF2960-SD

Mfr.#: TGF2960-SD

OMO.#: OMO-TGF2960-SD-1190

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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
50
71,58 USD
3 579,00 USD
100
63,25 USD
6 325,00 USD
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