MRF6S23100HR3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

68 V

Guadagno:

15.4 dB

Potenza di uscita:

20 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-780-3

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.32 mm

Lunghezza:

34.16 mm

Frequenza operativa:

2.3 GHz to 2.4 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

9.91 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

330 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Unità di peso:

0.226635 oz

Tags

MRF6S2310, MRF6S23, MRF6S2, MRF6S, MRF6, MRF