MRF6S21050LSR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

68 V

Guadagno:

16 dB

Potenza di uscita:

11.5 W

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-400S-3

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Altezza:

4.14 mm

Lunghezza:

10.29 mm

Frequenza operativa:

2.11 GHz to 2.17 GHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Larghezza:

10.29 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modalità canale:

Aumento

Pd - Dissipazione di potenza:

151 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Unità di peso:

0.088901 oz

Tags

MRF6S21050LS, MRF6S2105, MRF6S210, MRF6S21, MRF6S2, MRF6S, MRF6, MRF