DMN3150LW-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-323-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

28 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

88 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

620 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.15 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN31

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

5.4 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.000176 oz

Tags

DMN3150LW, DMN315, DMN31, DMN3, DMN