FDV301N

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

220 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDV301N

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.2 S

Tempo di caduta:

6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

3.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.2 ns

Parte # Alias:

FDV301N_NL

Unità di peso:

0.001093 oz

Tags

FDV301N, FDV301, FDV30, FDV3, FDV