FDV302P

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.2 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

FDV302P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

0.135 S

Tempo di caduta:

8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5 ns

Parte # Alias:

FDV302P_NL

Unità di peso:

0.001058 oz

Tags

FDV302P, FDV302, FDV30, FDV3, FDV