MRF1K50H-TF2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

E

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

36 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

135 V

Guadagno:

23.7 dB

Potenza di uscita:

1.5 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230H-4S

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 500 MHz

Serie:

MRF1K50H

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Transconduttanza diretta - Min:

33.5 S

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

1.667 kW

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Parte # Alias:

935336497598

Tags

MRF1K50H-T, MRF1K50H, MRF1K, MRF1, MRF