MRF1K50HR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 135 V

Guadagno:

23.7 dB

Potenza di uscita:

1.5 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

NI-1230H-4S

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Dual

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 500 MHz

Serie:

MRF1K50H

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Transconduttanza diretta - Min:

33.5 S

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

1.667 kW

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Parte # Alias:

935313284178

Unità di peso:

0 oz

Tags

MRF1K50H, MRF1K, MRF1, MRF