CSD18504Q5AT

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Texas Instruments

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VSONP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

75 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

16 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

77 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

NexFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

6 mm

Serie:

CSD18504Q5A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.9 mm

Marca:

Texas Instruments

Transconduttanza diretta - Min:

71 S

Kit di sviluppo:

EM1402EVM

Tempo di caduta:

2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

250

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.2 ns

Tags

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